词汇表

一个

激活退火

类别:过程

在注入杂质(不同的元素)到衬底,以创造一个半导体层,热处理被用来恢复破碎的晶体结构和电激活它。

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激活

类别:过程

在离子注入过程中注入的离子是不活跃的,因为它们没有与半导体中的原子晶体对齐。由于晶体缺陷,晶格也需要修复。激活是利用热来调节晶格并激活这些离子的过程。

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退火

类别:过程

制造半导体器件所需的各种热处理。

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B

批量处理

类别:应用程序

一种将多个晶片放置在石英船等上的方法,并将它们加工在一起。这适用于生产少量物品。为了确保批次均匀性,有必要使用维持均匀气体和温度分布的技术。

C

化合物半导体

类别:应用程序

由周期表中III-V族和II-VI族的多种元素组合而成的半导体材料,如砷化镓、GaN、CdTe和SiC。

联系退款

类别:过程

当金属与半导体接触时,可能会形成肖特基势垒二极管,导致电流仅朝一个方向流动。需要热处理使接触面合金,使电流双向流动。
这种情况称为欧姆接触。

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养护

类别:过程

固化意味着通过一些作用(热,化学添加剂,光等)促进聚合物的单体或交联反应的聚合反应。然后将单体或聚合物置于固化。

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D

脱氢(FPD)

类别:过程

在LTPS(低温多晶硅)工艺中,形成A-Si膜,进行激光退火,膜是多硅化的。采用热处理以减少激光退火之前的氢成分浓度,因为A-Si层中包含的氢气组分损坏膜。

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F

扇出晶片

类别:工件

树脂基板处理在FOWLP(扇出晶圆级封装)制造过程中。FOWLP是一个通用术语,指的是在芯片大小之外形成重新布线层的封装。与传统包装相比,它可以用于缩小/薄包装。

FPD.

类别:应用程序

FPD是Flat Panel Display的缩写。薄显示器,如有机EL (OLED)或液晶显示器。

熔块发射(FPD)

类别:过程

一种将玻璃颗粒、树脂、溶剂等揉制成玻璃浆料,用印刷的方法在基材上涂上这种玻璃浆料,然后烧制的方法。用于电子元器件的连接、密封和涂覆。

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G

Gaas Wafer.

类别:工件

使用镓(Ga)和砷(As)组成的化合物作为材料的晶圆片。与硅相比,它具有较低的强度和较昂贵的价格,但由于其高电子迁移率,它可以用来生产高速半导体器件,低功耗。也用于led和激光器的衬底。

除气

类别:过程

衬底中的一些杂质可能对LSI性能产生不利影响。该方法使用基板的晶体特性等来收集这些杂质。

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H

重型计线圈加热器

类别:相关设备

使用重型线圈和垫片的组合,加热器具有优异的高温耐久性。非常适用于多达1250°C的重复高温处理的应用,例如扩散炉。

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高温氧化

类别:过程

使用二氯硅烷(SiH)在高温(约900°C)低压下形成的栅氧化层2Cl2氧化亚氮(n2O)作为原料的气体。

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卧式炉

类别:相关设备

一种具有水平腔室(如石英玻璃管)的炉,在那里可以批量加工用于半导体、太阳能电池等的多个硅晶圆,以进行高温热处理或在晶圆上沉积任何薄膜。

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IGBT

类别:应用程序

绝缘栅双极晶体管的缩写。一种功率半导体。其输入为MOSFET结构,输出为双极结构。它具有较高的开关速度和较低的通断电阻。

杂质扩散

类别:过程

通过加热硅的衍射诸如磷和硼的杂质的方法,一种通常称为热扩散的方法。该方法也称为离子注入,因为杂质直接被电离并植入晶片中。在这种情况下,离子植入后需要激活退火。两种方法通常用于形成PN结。

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l

灯退火

类别:相关设备

使用诸如卤素灯的光作为热源的热处理系统。由于它只加热工件而不加热大气,所以可以进行快速升温和降温的处理。

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大口径立式加热炉

类别:相关设备

在FPD场中为大型玻璃基板开发的烘焙炉。玻璃基板尺寸为2.5或更多。通过跟随用于半导体器件的垂直炉的结构,玻璃基板安装在大型石英玻璃管内,然后在高温下加热以实现任何退火处理。

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轻型过弯加热器

类别:相关设备

采用轻型导线加热元件的加热器,与陶瓷纤维保温材料集成在一起,采用我们独特的真空成型工艺形成坚实的结构。由于只储存少量的热量,即使在低温和温度快速上升或下降时,它们也可以高精度控制,并具有优良的温度跟随性。

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低应力氮化硅

类别:过程

由于氮化硅膜通常在高应力下,因此可能发生裂缝和翘曲。因此,氮化物膜用于减压。用于在MEMS(微机电系统)和其他装置中的薄膜应力。

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氧化物低温

类别:过程

一种LPCVD。
它使用硅4和O2以氧化膜为原料,在低温(约400℃)的减压下形成氧化膜。用作夹层绝缘膜等。

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低温湿氧化

类别:过程

一种将晶片插入化合物半导体的方法,例如GaAs进入在500℃或更低的相对低温的石英管中,将蒸汽注入管中,然后将晶片氧化。用于VCSEL的光圈形成过程。

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LPCVD

类别:过程

低压化学气相沉积的简称。一种沉积和形成多晶硅(多晶硅)和氮化硅(硅3.N4)薄膜在数十帕的低压下。

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MEMS.

类别:应用程序

MEMS是Micro Electro-Mechanical Systems的缩写。在硅和玻璃上制造微米级精密机械结构和电子电路的器件。最近又出现了一种将机械结构与电子电路相结合的多芯片式模块。

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二硅化钼加热

类别:相关设备

使用二硅化钼作为加热元件,它适用于重复高温处理高达1400°C的应用。它具有优异的耐热性能,并能快速加热。

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N

N2负载锁定

类别:相关设备

N2吹扫室安装在基板传递区。当基材被转移到和从这个室中移除时,它用来降低大气中氧气和水分的浓度,以抑制天然氧化膜的形成。

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O

有机发光二极管

类别:应用程序

OLED是由两个导体之间的一系列有机薄膜组成的装置,并响应电流发光。因为它自发发光,所以它不需要背光。它也薄而消耗低于LCD的功率。

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ormic联系人

类别:应用程序

一种接触界面具有无论电流方向或电压大小,电阻值都不变的特性,且电压、电流、电阻三者之间的关系遵循欧姆定律。例如,半导体器件(如晶体管、二极管和集成电路)的电极是欧姆触点。

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烤箱

类别:相关设备

热处理设备的一般术语。在我们的设备中,它是指热空气循环式加热设备。

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氧氮化物

类别:过程

一种使用NO或N的方法2o形成一层薄薄的sion薄膜。它通过将氮气引入栅极氧化膜的界面来帮助改善界面电平。

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P

P掺杂的Poly-Si

类别:过程

一种在沉积多晶硅时注入磷化氢(PH3)气体并掺杂磷而获得的n型多晶硅薄膜。用于与电极接线接触。

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《行动纲领》(氧化退火后)

类别:过程

当形成MOSFET的栅氧化膜时,退火的目的是在主氧化过程后改造MOS界面。

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聚酰胺

类别:应用程序

聚酰亚胺是含酰亚胺聚合物的总称。它具有耐热性和耐化学性,用于恶劣环境下的工业应用。例如用于半导体的保护膜和绝缘材料,用于防护服装的纤维,以及耐热胶带。

聚合物固化

类别:过程

一种将用作半导体保护膜或绝缘材料的聚酰亚胺薄膜在大约200°C至400°C加热并固化的方法。

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文章

类别:过程

用单硅烷(SiH4)高温(约650°C)下的低压气体。常用于栅电极。

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功率半导体元件
电力设备

类别:应用程序

功率半导体是执行电气任务的半导体,例如绝缘,导电性,放大,整流和频率转换。最近,SiC和GaN被用作下一代材料,用于在更高电压下降低功率损耗。

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火成的oxideation

类别:过程

一种热氧化方法,利用氢和氧燃烧产生的水蒸气在半导体材料如硅上形成氧化膜。

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R

快速冷却

类别:相关设备

用鼓风机将空气送至加热炉并强制冷却炉膛,以迅速冷却炉膛内部的系统。

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研究与开发(R&D)

类别:应用程序

探索累积和新技术的发展,寻找未来的新价值的活动。

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年代

Saphire晶圆

类别:工件

蓝宝石是具有高硬度,耐腐蚀性和耐热性的透明材料。它用于诸如LED和半导体激光器的光学装置。

半导体制造工艺/后端

类别:应用程序

这也称为包装过程。前一步骤中产生的IC芯片与晶片分离,并用重新安装(例如引线键合)和树脂密封处理以产生IC封装。

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半导体制造工艺/前端

类别:应用程序

又称晶圆加工步骤。在晶圆表面形成半导体器件的过程中,使用了几种热处理方法,如氧化、扩散和CVD。

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硅晶片

类别:工件

晶圆从高纯度硅的锭切割。它形成了半导体的基础。热处理设备可用于在高温下将杂质引入其中并形成绝缘膜以产生半导体元件(IC和LSI)。

碳化硅晶片

类别:工件

从碳化硅锭上切下的晶圆片。它常用于功率半导体,比单独的硅在更高的温度和更高的速度下工作。它的制造方法比硅更加困难和昂贵。

氮化硅

类别:过程

氮化硅膜,用作MEMS的保护膜。在LPCVD中,通常通过使硅烷基气体如二氯硅烷(SIH)反应来形成膜(SIH2Cl2)和氨(NH3.)高温下的高温下的气体。

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单一晶片处理

类别:应用程序

一种处理方法,其中与批量处理相比,仅在一个基板上执行一个基板,其中在块状中处理了十几十个基板。这适用于在短时间内产生少量的线。而且,由于基板被一个接一个地处理,因此可以进行详细的控制。在需要快速升温和精细气氛控制的过程中,即使在批量线路上也需要单晶片加工。

烧结/合金化

类别:过程

在溅射金属膜(如铝)后进行的退火处理。这种处理通常在氢气气氛中进行,其目的是使接触面与硅合金并获得欧姆接触。

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太阳能电池/太阳能模块/光伏发电

类别:应用程序

一种利用阳光和光伏效应将光能转化为电能的能量转换元件。它是由主要含有硅的半导体制成的。其他包括CIGS复合太阳能电池使用Cu, In, Ga, Se和S, CdTe太阳能电池。

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T

四乙氧基硅烷

类别:过程

在LPCVD中沉积SiO2时使用。因为它是一种液体物质,所以需要一个特殊的汽化器。
它的特点是流动性和优良的覆盖面。

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热oxideation

类别:过程

一种将半导体材料(如硅片)暴露在氧化气氛(如氧气或水蒸气)中的高温下形成氧化膜的方法。该方法包括干氧化法和热生氧化法。

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薄晶圆

类别:应用程序

晶圆比半标列,日本工业标准(JIS)指定的厚度薄,为每个晶片直径的测试和材料(ASTM)。通常用于电源设备。

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V

垂直腔面发射激光器

类别:应用程序

垂直腔(或谐振器) - 型表面发射激光。这通常称为vcsel。与传统的水平谐振器类型不同,电压可以应用于晶片状态的芯片,可以通过激光振荡而较少的镜面损耗来执行产品的激光检查,并且它具有低功耗。此外,它能够实现二维阵列的多光束合成。

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竖炉

类别:相关设备

具有垂直腔室的炉子,例如石英玻璃管,其中用于半导体等多个硅晶片等可以在高温下进行热处理,或者在晶片上沉积任何薄膜。

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